Samsung et AMD renforcent leur partenariat sur les mémoires IA de nouvelle génération

Samsung Electronics et AMD ont annoncé la signature d'un protocole d'accord visant à renforcer leur collaboration sur les technologies de mémoire et de calcul destinées aux systèmes d'intelligence artificielle de nouvelle génération.

Selon Samsung, ce partenariat élargi couvre la fourniture de mémoire HBM4 pour le futur GPU AMD Instinct MI455X, ainsi que le développement de solutions DDR5 destinées aux processeurs AMD EPYC de 6^e génération, nom de code « Venice ». Ces technologies seront intégrées aux architectures à l'échelle du rack, dont la plateforme AMD Helios, conçue pour les infrastructures d'IA de grande capacité.

Samsung indique que sa HBM4, première du secteur à entrer en production de masse, repose sur un procédé DRAM de classe 10 nm de 6^e génération (1c) et une puce logique de 4 nm. Elle offre des vitesses allant jusqu'à 13 Gb/s et une bande passante maximale de 3,3 To/s, au-delà des standards actuels. Ces performances doivent permettre au GPU MI455X de répondre aux besoins des charges d'entraînement et d'inférence des modèles d'IA les plus exigeants.

Les deux entreprises collaboreront également sur une mémoire DDR5 haute performance optimisée pour les processeurs EPYC de 6^e génération, avec l'objectif de proposer des solutions adaptées aux architectures rack d'AMD. Elles étudieront par ailleurs des opportunités de partenariat dans la fonderie, Samsung pouvant fournir des services pour les futurs produits AMD.

Samsung et AMD travaillent ensemble depuis près de vingt ans dans les domaines des technologies graphiques, mobiles et informatiques. Samsung est notamment le principal fournisseur de mémoire HBM3E pour les accélérateurs d'IA AMD Instinct MI350X et MI355X.